Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 1999-00-00 ОрганизацияБелорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, 220027 Минск, Белоруссия ЖурналЖурнал Технической Физики

Потенциальные электрические характеристики интерференционных транзисторов на&nbsp;различных материалах

Абрамов И.И., Берашевич Ю.А., Данилюк А.Л.

Абрамов И.И., Берашевич Ю.А., Данилюк А.Л. Потенциальные электрические характеристики интерференционных транзисторов на различных материалах // ЖТФ, 1999, том 69, выпуск 11, Стр. 130

Аннотация Проведен теоретический анализ электрических характеристик квантовых интерференционных T-транзисторов на материалах GaAs, InAs, InSb, Si с учетом зависимости эффективных масс от размеров квантовой проволоки. Показано, что при экстремально малых размерах проволоки ни один из материалов не будет иметь существенных преимуществ перед другими по частотным характеристикам исследованных транзисторов.