Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:
Опубликовать в блог:
Опубликовано 2001-00-00 ОрганизацияНаучный центр "Институт ядерных исследований", НАН Украины, 03028 Киев, Украина E-mail: interdep@kinr.kiev.ua ЖурналЖурнал Технической Физики


Влияние знака заряда иона на стимуляцию плазмохимического травления кремния
Павлов С.Н.
Павлов С.Н. Влияние знака заряда иона на стимуляцию плазмохимического травления кремния // ЖТФ, 2001, том 71, выпуск 2, Стр. 36
Аннотация Исследуется относительное влияние ионов разных знаков заряда на стимуляцию травления кремния в плазменных условиях. Радикалы фтора производятся тлеющим разрядом с градиентом давления. Пучок положительных или отрицательных ионов создается с помощью источника ионов пеннинговского типа. Поток радикалов фтора и пучок ионов совмещаются на поверхности кремния, расположенного в высоковакуумном объеме. Положительные ионы могут быть конвертированы в быстрые нейтральные атомы методом резонансной перезарядки и собственном газе. Показано, что наибольшей каталитической способностью обладают быстрые нейтральные атомы. Каталитическое влияние положительных ионов примерно в два раза ниже. Отрицательные ионы занимают промежуточное положение. Впервые обнаружено, что некоторые виды ионов (например, молекулярный кислород) не ускоряют, а замедляют процесс травления, т. е. ведут себя как ингибиторы.
Ключевые слова публикации:
     

Комментарии

Вам необходимо зайти или зарегистрироваться для комментирования
Этот комментарий был удален
Этот комментарий был удален