Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2001-00-00 Организация1 Институт радиотехники и электроники РАН, 103907 Москва, Россия 2 Институт кристаллографии РАН, 113333 Москва, Россия ЖурналЖурнал Технической Физики

Исследование структурного совершенства, распределения и&nbsp;перераспределения кремния в&nbsp;эпитаксиальных пленках GaAs, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии на&nbsp;подложках с&nbsp;ориентациями (100), (111)A, (111)B

Галиев Г.Б., Мокеров В.Г., Сарайкин В.В., Слепнев Ю.В., Шагимуратов Г.И., Имамов Р.М., Пашаев Э.М.

Галиев Г.Б., Мокеров В.Г., Сарайкин В.В., Слепнев Ю.В., Шагимуратов Г.И., Имамов Р.М., Пашаев Э.М. Исследование структурного совершенства, распределения и перераспределения кремния в эпитаксиальных пленках GaAs, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках с ориентациями (100), (111)A, (111)B // ЖТФ, 2001, том 71, выпуск 4, Стр. 47

Аннотация Методами рентгеновской дифрактометрии и ВИМС исследованы распределение кремния до и после термического отжига в тонких легированных слоях GaAs, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках с ориентациями (100), (111)A, (111)B. С помощью атомно-силового микроскопа исследованы рельефы поверхности выращенных эпитаксиальных пленок вне и внутри кратера ионного травления, возникающего во время измерения методом ВИМС. Выявлены особенности рельефа поверхности внутри кратера для разных ориентаций. Обнаруженные изменения формы профилей легирования объяснены как особенностями развития рельефа поверхности во время ионного травления при измерении методом ВИМС, так и ускоренной диффузией Si по дефектам роста.