Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2001-00-00 ОрганизацияНаучно-исследовательский институт физики Ростовского государственного университета, 344090 Ростов-на-Дону, Россия e-mail: klevtsov@iphys.rnd.runnet.ru ЖурналЖурнал Технической Физики

Кристаллохимическое моделирование сегнетоэлектрических материалов с&nbsp;низкой диэлектрической проницаемостью

Резниченко Л.А., Кузнецова Е.М., Разумовская О.Н., Шилкина Л.А.

Резниченко Л.А., Кузнецова Е.М., Разумовская О.Н., Шилкина Л.А. Кристаллохимическое моделирование сегнетоэлектрических материалов с низкой диэлектрической проницаемостью // ЖТФ, 2001, том 71, выпуск 5, Стр. 53

Аннотация Показано, что изовалентным (в A-подъячейке) сверхстехиометрическим модифицированием твердых растворов ниобатов щелочных металлов возможно повысить однородный параметр деформации элементарной ячейки и резко снизить диэлектрическую проницаемость образцов. Предложен механизм наблюдаемого эффекта. Сделано заключение о перспективности использования установленных закономерностей для моделирования практически важных сегнетопьезоэлектрических материалов.