Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2002-00-00 ОрганизацияМосковский технический университет связи и&nbsp;информатики, 111024 Москва, Россия ЖурналЖурнал Технической Физики

Обнаружение заряженных дефектов с&nbsp;помощью спектров люминесценции

Гинзбург Л.П., Жилинский А.П.

Гинзбург Л.П., Жилинский А.П. Обнаружение заряженных дефектов с помощью спектров люминесценции // ЖТФ, 2002, том 72, выпуск 2, Стр. 59

Аннотация Изложена методика анализа низкочастотного участка спектра люминесценции, которая позволяет установить наличие абсолютно жесткой кулоновской щели, образованной локализованными заряженными дефектами. Эффективность методики иллюстрируется на примерах люминесценции в аморфных полупроводниках, в оптических волокнах, а также триболюминесценции.