Антон Глотов » Публикация

Поделиться публикацией:
Опубликовать в блог:
Опубликовано 2009-06-15 Опубликовано на SciPeople2012-04-04 10:36:36 ЖурналФизика и техника полупроводников


Субструктура и люминесценция низкотемпературных гетероструктур AlGaAs/GaAs(100)
А.В. Глотов, П.В. Середин, Э.П. Домашевская [и др.] / Антон Глотов
Физика и техника полупроводников, 2010, том 44, вып. 2
Аннотация Методами рамановского рассеяния и фотолюминесцентной спектроскопии изучены субструктура и люминесценция низкотемпературных эпитаксиальных твердых растворов AlGaAs. Показано, что полученные в ходе работы экспериментальные данные коррелируют с результатами структурных и оптических исследований, проведенных в предыдущей работе. Подтверждено предположение о том, что при высоких концентрациях углеродного акцептора атомы последнего концентрируются на дефектах кристаллической решетки твердого раствора AlGaAs с образованием нанокластеров углерода.

Комментарии

Вам необходимо зайти или зарегистрироваться для комментирования
Этот комментарий был удален
Этот комментарий был удален
Этот комментарий был удален