Антон Глотов » Публикация
Поделиться публикацией:
Опубликовано
2009-06-15
Опубликовано на SciPeople2012-04-04 10:36:36
ЖурналФизика и техника полупроводников
Субструктура и люминесценция низкотемпературных гетероструктур AlGaAs/GaAs(100)
Физика и техника полупроводников, 2010, том 44, вып. 2
Аннотация
Методами рамановского рассеяния и фотолюминесцентной спектроскопии изучены субструктура и
люминесценция низкотемпературных эпитаксиальных твердых растворов AlGaAs. Показано, что полученные в ходе работы экспериментальные данные коррелируют с результатами структурных и оптических
исследований, проведенных в предыдущей работе. Подтверждено предположение о том, что при высоких
концентрациях углеродного акцептора атомы последнего концентрируются на дефектах кристаллической
решетки твердого раствора AlGaAs с образованием нанокластеров углерода.
Комментарии
Вам необходимо зайти или зарегистрироваться для комментирования
Этот комментарий был удален
Этот комментарий был удален
Этот комментарий был удален