Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2002-00-00 Организация1Физико-технический институт им.&nbsp;А.Ф.&nbsp;Иоффе РАН, 194021 Санкт-Петербург, Россия e-mail: Boris.Reznikov@pop.ioffe.rssi.ru 2Санкт-Петербургский государственный технический университет, 195251 Санкт-Петербург, Россия e-mail: arsen@spes.stu. ЖурналЖурнал Технической Физики

Эффекты ограничения заряда эмиссии фотокатодов при&nbsp;неоднородном освещении

Резников Б.И., Субашиев А.В.

Резников Б.И., Субашиев А.В. Эффекты ограничения заряда эмиссии фотокатодов при неоднородном освещении // ЖТФ, 2002, том 72, выпуск 5, Стр. 95

Аннотация Теоретически исследована фотоэмиссия из полупроводника с отрицательным электронным сродством для неравномерного распределения интенсивности света на освещаемой поверхности при стационарном и импульсном возбуждении. Показано, что максимальное значение тока эмиссии экспоненциально возрастает с увеличением отношения отрицательного электронного сродства Delta0 к характерной энергии туннелирования E0, и найдена интенсивность возбуждения Iopt, соответствующая максимальному току. Неравномерность возбуждения приводит к ослаблению зависимости тока эмиссии от интенсивности вблизи его максимального значения. Время восстановления квантовой эффективности, измеряемое при двухимпульсном возбуждении, слабо зависит от интенсивности и неравномерности распределения интенсивности в пятне и близко ко времени релаксации малых фотонапряжений.