Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2003-00-00 ОрганизацияИнститут общей физики РАН, 119991 Москва, Россия ЖурналЖурнал Технической Физики

Моделирование формирования плазмы в&nbsp;прикатодном слое разряда эффективных эксиламп

Ткачев А.Н., Яковленко С.И.

Ткачев А.Н., Яковленко С.И. Моделирование формирования плазмы в прикатодном слое разряда эффективных эксиламп // ЖТФ, 2003, том 73, выпуск 2, Стр. 56

Аннотация На основе моделированияи имеющихся экспериментальных данных предложены аналитические аппроксимации величин, характеризующих процесс размножения электронов в прикатодной области. Получено критическое значение поля, при превышении которого наблюдается убегание электронов. На основе предложенных аппроксимаций рассмотрена задача о зависимости параметров плазмы (электронных и ионных плотностей и токов, напряженности электрического поля) от расстояния до поверхности катода. Предложены простые формулы, определяющие полный ток, ширину прикатодной области и падение потенциала как функцию напряженности поля на поверхности катода.