Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2004-00-00 Организация1 Физико-технический институт им.&nbsp;А.Ф.&nbsp;Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия e-mail: gga 2 Закрытое акционерное общество Научное и технологическое оборудование, 198103 Санкт-Петербург, Россия ЖурналЖурнал Технической Физики

Устройство пирометрического контроля температуры подложки GaAs для установки молекулярно-лучевой эпитаксии

Александров С.Е., Гаврилов Г.А., Капралов А.А., Сотникова Г.Ю., Черных Д.Ф., Алексеев А.Н., Дудин А.Л., Коган И.В., Шкурко А.П.

Александров С.Е., Гаврилов Г.А., Капралов А.А., Сотникова Г.Ю., Черных Д.Ф., Алексеев А.Н., Дудин А.Л., Коган И.В., Шкурко А.П. Устройство пирометрического контроля температуры подложки GaAs для установки молекулярно-лучевой эпитаксии // ЖТФ, 2004, том 74, выпуск 1, Стр. 123

Аннотация Рассматривается оптический пирометр, специально разработанный для прецизионного контроля температуры GaAs подложки во время эпитаксиального роста в условиях молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ). Особенностью разработанного устройства является возможность его калибровки на некоторую характерную абсолютную температуру, определяемую визуально по изменению картины дифракции быстрых электронов (ДБЭ). Это позволяет рассчитать абсолютную температуру подложки с учетом ее излучательной способности и свести к минимуму погрешности определения температуры по излучению, связанные с запылением пирометрического окна установки ростовыми материалами.