Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:
Опубликовать в блог:
Опубликовано 2004-00-00 ОрганизацияСанкт-Петербургский государственный электротехнический университет \glqq ЛЭТИ\grqq, 197376 Санкт-Петербург, Россия e-mail: f@eltech.ru ЖурналЖурнал Технической Физики


Индуцированные состояния сегнетоэлектрика с одинаковой диэлектрической проницаемостью
Прудан А.М., Козырев А.Б., Земцов А.В.
Прудан А.М., Козырев А.Б., Земцов А.В. Индуцированные состояния сегнетоэлектрика с одинаковой диэлектрической проницаемостью // ЖТФ, 2004, том 74, выпуск 3, Стр. 87
Аннотация Проведено исследование условий формирования электрическим полем состояний сегнетоэлектрика, которые соответствуют разным температурам параэлектрической области, но неразличимы по диэлектрической проницаемости. Получены данные о температурной зависимости напряженности управляющего поля, индуцирующего такие состояния, и о ширине интервала (varepsilonmin...varepsilonmax) реализуемых значений диэлектрической проницаемости. Проанализирован эффект пересечения varepsilon(E,Ti)-характеристик сегнетоэлектрика, находящегося в параэлектрическом состоянии. Показано, что согласование управляющего поля с температурой обеспечивает постоянство заданного значения проницаемости (varepsiloni) пленочных образцов титаната стронция и твердого раствора титанат бария-титанат стронция в широком (200...320 K) температурном диапазоне при сохранении возможности более чем двукратного изменения ее величины (varepsiloni) электрическим полем.
Ключевые слова публикации:
   

Комментарии

Вам необходимо зайти или зарегистрироваться для комментирования
Этот комментарий был удален
Этот комментарий был удален