Профиль » Публикация
Опубликовано
2004-00-00
ОрганизацияСанкт-Петербургский государственный электротехнический университет \glqq ЛЭТИ\grqq, 197376 Санкт-Петербург, Россия e-mail: f@eltech.ru
ЖурналЖурнал Технической Физики
Индуцированные состояния сегнетоэлектрика с одинаковой диэлектрической проницаемостью
Прудан А.М., Козырев А.Б., Земцов А.В. Индуцированные состояния сегнетоэлектрика с одинаковой диэлектрической проницаемостью // ЖТФ, 2004, том 74, выпуск 3, Стр. 87
Аннотация
Проведено исследование условий формирования электрическим полем состояний сегнетоэлектрика, которые соответствуют разным температурам параэлектрической области, но неразличимы по диэлектрической проницаемости. Получены данные о температурной зависимости напряженности управляющего поля, индуцирующего такие состояния, и о ширине интервала (varepsilonmin...varepsilonmax) реализуемых значений диэлектрической проницаемости. Проанализирован эффект пересечения varepsilon(E,Ti)-характеристик сегнетоэлектрика, находящегося в параэлектрическом состоянии. Показано, что согласование управляющего поля с температурой обеспечивает постоянство заданного значения проницаемости (varepsiloni) пленочных образцов титаната стронция и твердого раствора титанат бария-титанат стронция в широком (200...320 K) температурном диапазоне при сохранении возможности более чем двукратного изменения ее величины (varepsiloni) электрическим полем.
Комментарии
Вам необходимо зайти или зарегистрироваться для комментирования
Этот комментарий был удален
Этот комментарий был удален