Профиль » Публикация

Аннотация Рассмотрен моттовский переход металл--изолятор (МИ) в слабо компенсированных полупроводниках с простым законом дисперсии (типа InSb). Проведено микроскопическое описание перехода МИ в условиях, когда в окрестности перехода примесная зона перекрыта с зоной проводимости, а уровень Ферми расположен в зоне проводимости. Из условия минимума внутренней энергии системы электронов и доноров показано, что учет донор-донорного взаимодействия приводит к стабилизации промежуточного состояния, в котором доноры ионизованы частично. Показано, что в некотором интервале концентраций доноров, близки к критическому значению, магнитное поле, подавляя ван-дер-ваальсовские взаимодействия нейтральных доноров, индуцирует переход из диэлектрической фазы в металлическую. Проводится параллель с аналогичными эффектами в сильно компенсированных полупроводниках (переход Андерсона), связанными с эффектами слабой локализации.