Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 1998-00-00 ОрганизацияФизико-технический институт им.&nbsp;А.Ф.&nbsp;Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия ЖурналЖурнал "Физика Твердого Тела"

Фокусировка электронов при отражении от монокристалла Si (100)

Пронин И.И., Фараджев Н.С., Гомоюнова М.В.

Пронин И.И., Фараджев Н.С., Гомоюнова М.В. Фокусировка электронов при отражении от монокристалла Si (100) // ФТТ, 1998, том 40, выпуск 7, Стр. 1364

Аннотация Исследованы дифракционные картины квазиупругорассеянных электронов, возникающие вследствие их фокусировки в тонком приповерхностном слое монокристалла Si (100)-2x1. Результаты измерений, проведенных в диапазоне энергии 0.6-2 keV, сопоставлены с расчетами, выполненными в кластерном приближении однократного рассеяния. Показано, что данная модель хорошо описывает эксперимент. Проанализирована взаимосвязь дифракционных картин, наблюдаемых для разных граней кремния, и рассмотрено влияние на них ориентации пучка первичных электронов. Установлены закономерности фокусировки квазиупругорассеянных электронов при выходе из кристалла вдоль основных кристаллографических направлений. Изучены особенности эффекта для электронов, испытавших при отражении неупругое взаимодействие с электронной подсистемой кристалла.