Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 1999-00-00 ОрганизацияФизико-технический институт им. А.Ф.&nbsp;Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия E-mail: mokhov@sic.ioffe.rssi.ru ЖурналЖурнал "Физика Твердого Тела"

Прогресс в выращивании кристаллов и изучении широкозонных полупроводниковых материалов

Водаков Ю.А., Мохов Е.Н.

Водаков Ю.А., Мохов Е.Н. Прогресс в выращивании кристаллов и изучении широкозонных полупроводниковых материалов // ФТТ, 1999, том 41, выпуск 5, Стр. 822

Аннотация Демонстрируются возможности сублимационного сэндвич-метода для контролируемого роста монокристаллов и эпитаксиальных слоев различных политипов SiC и GaN. Управляемое получение чистых (ni