Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2000-00-00 ОрганизацияФизико-технический институт им. А.Ф.&nbsp;Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия * Санкт-Петербургский государственный технологический институт, 198013 Санкт-Петербург, Россия ЖурналЖурнал "Физика Твердого Тела"

Электронные свойства ультратонких Cs-покрытий на&nbsp;поверхности GaAs (100), обогащенной&nbsp;Ga

Бенеманская Г.В., Евтихиев В.П., Франк-Каменецкая Г.Э.

Бенеманская Г.В., Евтихиев В.П., Франк-Каменецкая Г.Э. Электронные свойства ультратонких Cs-покрытий на поверхности GaAs (100), обогащенной Ga // ФТТ, 2000, том 42, выпуск 2, Стр. 356

Аннотация Для субмонослойных Cs-покрытий на поверхности GaAs (100), обогащенной Ga, исследованы электронные спектры поверхностных состояний и ионизационная энергия как функция покрытия. Использовался метод пороговой фотоэмиссионной спектроскопии. При Cs-покрытии вблизи половины монослоя в спектре ниже уровня Ферми обнаружены две узкие зоны, индуцированные адсорбцией, что указывает на наличие двух неэквивалентных позиций для атомов Cs при взаимодействии с димерами Ga. Установлено, что Cs-покрытие ~ 0.7 монослоя является насыщающим для оборванных связей Ga и адсорбционная связь имеет преимущественно ковалентный характер. При покрытиях, близких к монослою, впервые наблюдались широкие зоны с энергией 1.9, 2.05 и 2.4 eV, которые могут быть связаны с возбуждением Cs-островков или кластеров и поверхностного Cs-плазмона соответственно. Результаты свидетельствуют о наличии двух фаз адсорбции с сильной и слабой связями. Работа выполнена при поддержке гранта N 98-02-18265 РФФИ и гранта N 99-2.14 программы Миннауки РФ "Поверхностные атомные структуры".