Антон Глотов » Публикация
Поделиться публикацией:
Опубликовано
2011-11-23
Опубликовано на SciPeople2012-07-11 10:26:58
ЖурналФизика и техника полупроводников
Структурные и спектральные особенности МОС-гидридных твердых растворов AlxGayIn1-x-yAszP1-z/ GaAs(100)
Физика и техника полупроводников. – 2011. – Т.46.- №6.
Аннотация
Исследовались МОС-гидридные эпитаксиальные гетероструктуры на основе пятикомпонентных твердых растворов AlxGayIn1-x-yAszP1-z, выращенные в области составов изопериодических GaAs. Методами рентгеновской дифракции и атомно-силовой микроскопии показано, что на поверхности гетероструктур присутствуют наноразмерные объекты, имеющие форму островков, которые могут выстраиваться на поверхности твердого раствора в линейном направлении. На основании расчетов параметров кристаллической решетки с учетом внутренних напряжений можно предположить, что новое соединение является фазой на основе твердого раствора AlxGayIn1-x-yAszP1-z.
Комментарии
Вам необходимо зайти или зарегистрироваться для комментирования
Этот комментарий был удален
Этот комментарий был удален
Этот комментарий был удален