Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2002-00-00 ОрганизацияИнститут физики полупроводников Национальной академии наук Украины, 03028 Киев, Украина E-mail: taraspetrenko@netscape.net ЖурналЖурнал "Физика Твердого Тела"

Отрицательно заряженная вакансия кремния вSiC: эффекты спиновой поляризации

Петренко Т.Т., Петренко Т.Л., Братусь В.Я.

Петренко Т.Т., Петренко Т.Л., Братусь В.Я. Отрицательно заряженная вакансия кремния вSiC: эффекты спиновой поляризации // ФТТ, 2002, том 44, выпуск 5, Стр. 799

Аннотация В кластерном приближении методом функционала плотности рассчитаны равновесная геометрия и константы сверхтонкого взаимодействия с атомами двух ближайших координационных сфер для высокоспинового состояния отрицательно заряженной вакансии кремния в кубическом SiC. Получено хорошее согласие с экспериментальными данными при использовании 70-атомного кластера. Детально проанализирована спиновая поляризация в электронной подсистеме и рассмотрена правомерность обычно используемой простой модели ЛКАО при интерпретации данных ЭПР в полупроводниках. В терминах локализованных орбиталей поясняется распределение спиновой плотности для изучаемого дефекта.