Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2003-00-00 ОрганизацияИнститут аналитического приборостроения Российской академии наук, 198103 Санкт-Петербург, Россия ЖурналЖурнал "Физика Твердого Тела"

Изменение электронной плотности вузлах меди присверхпроводящем переходе вматаллоксидах меди

Серегин Н.П.

Серегин Н.П. Изменение электронной плотности вузлах меди присверхпроводящем переходе вматаллоксидах меди // ФТТ, 2003, том 45, выпуск 1, Стр. 12

Аннотация Для соединений YBa2Cu3O6.6, YBa2Cu3O6.9, YBa2Cu4O8, Bi2Sr2CaCu2O8, HgBa2CuO4 и HgBa2CaCu2O6 при температурах выше температуры перехода в сверхпроводящее состояние Tc температурная зависимость центра тяжести S мессбауэровского спектра примесных атомов 67Zn2+ в узлах меди и иттрия определяется допплеровским сдвигом второго порядка. В области T