Профиль » Публикация

Аннотация Исследуется динамика поверхностных дислокационных ансамблей в кремнии при наличии механических и магнитных возмущений. Описание процесса движения дефектов произведено с рассмотрением трех видов барьеров, включающих магниточувствительные точечные дефекты и дислокации. В рамках представленного рассмотрения с учетом концепции спин-зависимых реакций между структурными дефектами предложена кинетическая модель наблюдаемых магнитостимулированных изменений подвижности, обусловленных образованием долгоживущих комплексов с участием парамагнитной примеси. Экспериментально показано, что предварительная обработка дислокационных кристаллов в течение 5-45 min в магнитном поле (B=1 T) способствует двух- и трехкратному увеличению скорости движения дислокаций в n- и p-Si соответственно. Зафиксирована \glqq магнитная память\grqq дислокационного Si и рассмотрена кинетика ее ослабления в естественных условиях хранения образца после магнитной обработки. Согласование эксперимента с теорией позволило выявить основные количественные характеристики магнитостимулированного транспорта линейных дефектов: парциальные скорости перемещения дислокаций и динамику дислокационных сегментов на различных стопорах, включая времена ожидания.