Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2003-00-00 ОрганизацияИнститут кристаллографии им.&nbsp;А.В.&nbsp;Шубникова Российской академии наук, 117333 Москва, Россия * Исследовательский институт физики твердого тела и&nbsp;оптики Венгерской академии наук, H-1121 Будапешт XII, Венгрия E-mail: darin@ns.crys. ЖурналЖурнал "Физика Твердого Тела"

О влиянии концентрации точечных дефектов вкристаллах NaCl иLiF наполе насыщения магнитопластического эффекта

Даринская Е.В., Хартманн Е.

Даринская Е.В., Хартманн Е. О влиянии концентрации точечных дефектов вкристаллах NaCl иLiF наполе насыщения магнитопластического эффекта // ФТТ, 2003, том 45, выпуск 11, Стр. 2013

Аннотация Исследовано влияние концентрации примеси кальция в кристаллах NaCl и предварительного рентгеновского облучения кристаллов NaCl и LiF на величину магнитного поля насыщения B0, характеризующего переход от обычной пропорциональности среднего пробега дислокаций l квадрату магнитной индукции B (l прапорционально B2) к насыщению (l=const). Показано, что с увеличением концентрации примеси кальция в кристаллах NaCl и дозы рентгеновского облучения NaCl и LiF величина B0 растет. Данный факт соответствует тому, что открепление дислокаций от локальных дефектов в слабых магнитных полях лимитируется механизмом продольной релаксации спинов в системе радикальных пар, образующихся при взаимодействии дислокационных ядер с парамагнитными центрами. Работа чистично финансировалась грантом Российской академии наук (6-й конкурс научных проектов молодых ученых РАН), Hungarian Scientific Research Foundation (OTKA T23092 and T035044) и Российским фондом фундаментальных исследований (грант N 03-02-17021).