Профиль » Публикация

Аннотация Обсуждается возможность формирования массивов одномерных квантовых проводников на базе пористых многослойных структур InxGa1-xAs/GaAs с двумерным газом носителей заряда в слоях InxGa1-xAs. Переход от монокристаллической матрицы к пористой прослеживается методом сканирующей атомно-силовой микроскопии. Понижение размерности электронно-дырочного газа в формируемых объектах, т. е. переход от двумерной системы к одномерной, устанавливается из анализа зависимостей положения и ширины спектральной линии в спектрах фотолюминесценции от времени травления образца. Подобная процедура осуществлена как на многослойных периодических сверхрешетках, так и на структуре с одиночным слоем InxGa1-xAs, расположенным в приповерхностном слое арсенида галлия. Выполнены измерения электрофизических характеристик электронов в пористых сверхрешетках в зависимости от температуры, подтверждающие не только формирование новой структуры вещества, но и показывающие смену механизма рассеяния электронов в квазиодномерных транспортных каналах, формируемых в системе. Работа выполнена в рамках гранта Министерства образования Российской Федерации (грант N E02-3.4-347) и при частичной финансовой поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (грант N 01-02-16778).