Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2006-00-00 ОрганизацияИнститут физики полупроводников Национальной академии наук Украины, 03028 Киев, Украина * Национальный университет &#92;glqq Львовская политехника&#92;grqq, 29013 Львов, Украина E-mail: zvlas@isp.kiev.ua ЖурналЖурнал "Физика Твердого Тела"

Генерация дислокаций вваризонных гетеросистемах CdTe/CdHgTe наначальных стадиях эпитаксиального роста

Власенко А.И., Власенко З.К., Курило И.В., Рудый И.А.

Власенко А.И., Власенко З.К., Курило И.В., Рудый И.А. Генерация дислокаций вваризонных гетеросистемах CdTe/CdHgTe наначальных стадиях эпитаксиального роста // ФТТ, 2006, том 48, выпуск 3, Стр. 436

Аннотация На основе сопоставления данных микроскопических исследований, исследований состава и микротвердости показано, что в эпитаксиальных варизонных гетеросистемах CdTe/CdHdTe существует развитая система массивов дислокаций различного происхождения (прорастающих, несоответствия, на границах сращивания трехмерных островков и др.) с наклонными и параллельными границе раздела сегментами. Обнаружено неравномерное по толщине гетеросистемы увеличение микротвердости, коррелирующее в эпитаксиальном слое с распределением плотности дислокаций. PACS: 61.72.Ff, 62.20.Qp