Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2006-00-00 ОрганизацияСанкт-Петербургский государственный электротехнический университет &lt;&lt; ЛЭТИ&gt;&gt;, 197376 Санкт-Петербург, Россия * Физико-технический институт им.&nbsp;А.Ф.&nbsp;Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Росси ЖурналЖурнал "Физика Твердого Тела"

Оже-спектроскопия и свойства наноразмерных тонкопленочных структур Ir(Pt)/PZT(PZT/PT)/Ir

Афанасьев В.П., Афанасьев П.В., Грехов И.В., Делимова Л.А., Ким С.-П., Коо Ю.-М., Машовец Д.В., Панкрашкин А.В., Парк Я., Петров А.А., Шин С.

Афанасьев В.П., Афанасьев П.В., Грехов И.В., Делимова Л.А., Ким С.-П., Коо Ю.-М., Машовец Д.В., Панкрашкин А.В., Парк Я., Петров А.А., Шин С. Оже-спектроскопия и свойства наноразмерных тонкопленочных структур Ir(Pt)/PZT(PZT/PT)/Ir // ФТТ, 2006, том 48, выпуск 6, Стр. 1130

Аннотация Изучение профилей распределения элементов по толщине тонкопленочных сегнетоэлектрических конденсаторных структур методом электронной Оже-спектроскопии позволило установить связь между элементным и фазовым составом структур и их электрофизическими свойствами. Выявлены особенности поведения подслоя титаната свинца сразу после изготовления и после старения структур. Показано, что в процессе старения изменение характеристик конденсаторных структур связано с диффузией элементов на интерфейсах и в пленке PZT на фоне значительного увеличения концентрации кислорода, в результате чего формируются оксидные слои, модифицирующие границы раздела, уменьшается плотность ловушек на верхнем и нижнем интерфейсах для всех образцов. Работа выполнена при финансовой поддержке Института передовых технологий Самсунга и Федерального агенства по образованию РФ в рамках программы \glqq Развитие научного потенциала высшей школы\grqq 2005 года (проект N 75122). PACS: 85.50.-n, 82.80.Pv