Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 1997-00-00 ОрганизацияДнепропетровский государственный университет, 320625 Днепропетровск, Украина ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Электрические свойства гетероструктур ZnSe/GaAs (100), выращенных методом фотостимулированной газофазной эпитаксии

Электрические свойства гетероструктур ZnSe/GaAs (100), выращенных методом фотостимулированной газофазной эпитаксии // ФТП, 1997, том 31, выпуск 1, Стр. 11

Аннотация Эпитаксиальные слои ZnSe на GaAs (100) были выращены методом фотостимулированной газофазной эпитаксии с использованием He--Cd-лазера (мощность P~= 1 мВт/см2, hnu=2.807 эВ) при температуре подложки T=(175-300)oC. Исследованы температурные зависимости подвижности основных носителей заряда в слоях, легированных в процессе роста с применением таких источников, как AlCl3, Zn, Al, Ga. На основании анализа кривых термостимулированного тока и термостимулированной деполяризации установлены параметры 7глубоких локальных уровней, оказывающих существенное влияние на электрические характеристики гетероструктур.