Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 1997-00-00 ОрганизацияФизико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Влияние рассогласования параметров решеток на структурные, оптические и транспортные свойства слоев InGaAs, выращиваемых методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложках InP (100)

Жуков А.Е., Егоров А.Ю., Устинов В.М., Цацульников А.Ф., Максимов М.В., Фалеев Н.Н., Копьев П.С.

Жуков А.Е., Егоров А.Ю., Устинов В.М., Цацульников А.Ф., Максимов М.В., Фалеев Н.Н., Копьев П.С. Влияние рассогласования параметров решеток на структурные, оптические и транспортные свойства слоев InGaAs, выращиваемых методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложках InP (100) // ФТП, 1997, том 31, выпуск 1, Стр. 19

Аннотация Исследовано влияние напряжения рассогласования на структурные, транспортные и оптические свойства толстых слоев InGaAs, выращенных на подложках InP (100) методом молекулярно-пучковой эпитаксии. Обнаружено, что слои с напряжением растяжения могут быть выращены с большим рассогласованием до начала пластической релаксации напряжения по сравнению со слоями с напряжением сжатия. Критическое рассогласование для толстых слоев InGaAs не описывается с достаточной точностью ни моделью механического равновесия, ни моделью баланса энергии. Диапазон рассогласования, необходимый для получения высоких значений подвижности носителей и эффективности излучательной рекомбинации в слоях InGaAs, выращенных на подложках InP, существенно уже диапазона псевдоморфного роста. Наибольшие подвижности и наименьшие ширины пика фотолюминесценции достигаются в слоях, согласованных по параметру решетки с подложкой, а также в слоях, слабо обогащенных галлием. Исследована зависимость ширины запрещенной зоны от состава с учетом влияния напряжения.