Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 1997-00-00 ОрганизацияФизико-технический институт им.А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия #Institute fur Festkorperphysik, Technische Universitat Berlin, D-10623 Berlin, Germany ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Фотолюминесценция квантовых точек InSb в матрицах GaAs и GaSb

Цацульников А.Ф., Леденцов Н.Н., Максимов М.В., Мельцер Б.Я., Неклюдов П.В., Шапошников С.В., Воловик Б.В., Крестников И.Л., Сахаров А.В., Берт Н.А., Копьев П.С., Бимберг Д., Алферов Ж.И. Фотолюминесценция квантовых точек InSb в матрицах GaAs и GaSb // ФТП, 1997, том 31, выпуск 1, Стр. 68

Аннотация Проведены исследования фотолюминесцентных свойств квантовых точек, образующихся при осаждении тонкого слоя InSb (1--3 монослоя) на поверхности GaAs(100) и GaSb(100). Результаты работы указывают на важность реакций замещения As--Sb при формировании квантовых точек на поверхности GaAs.