Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 1997-00-00 ОрганизацияИнститут физики Национальной академии наук Украины, 252650 Киев, Украина *Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, 252650 Киев, Украина ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Исследование структуры края валентной зоны кристаллов Cd 1-xMnxS при помощи магнитооптических измерений

Абрамишвили В.Г., Комаров А.В., Рябченко С.М., Семенов Ю.Г.

Абрамишвили В.Г., Комаров А.В., Рябченко С.М., Семенов Ю.Г. Исследование структуры края валентной зоны кристаллов Cd 1-xMnxS при помощи магнитооптических измерений // ФТП, 1997, том 31, выпуск 1, Стр. 72

Аннотация Проведены магнитооптические исследования кристаллов Cd1-xMnxS с концентрацией магнитной компоненты x1=0.0056, x2=0.0013, x3=0.0002 при T=2 K в магнитном поле H=< 3.5 T для H normal c и H|| c, где c--- гексагональная ось кристалла. Впервые удалось надежно зафиксировать спиновое расщепление спектров экситонного отражения B-экситонного перехода благодаря использованию поперечной геометрии эксперимента H normal c. На основании данных, полученных как при H normal c, так и при H|| c, найдены параметры кристаллического поля и спин-орбитального взаимодействия Delta1, Delta2, Delta3 и обменные константы Je, Jh кристаллов Cd1-xMnxS, обеспечивающие наилучшее описание эксперимента в приближении среднего обменного поля. Проведенный анализ показал, что для всего ряда исследованных кристаллов Cd1-xMnxS основные качественные особенности наблюдаемых спектров отражения могут быть описаны только исходя из условия (Delta1-Delta2)