Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 1997-00-00 ОрганизацияФизико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Росийской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Анализ временной нестабильности параметров границы раздела диэлектрик--соединение A IIIB V методом изотермической релаксации емкости

Берман Л.С.

Берман Л.С. Анализ временной нестабильности параметров границы раздела диэлектрик--соединение A IIIB V методом изотермической релаксации емкости // ФТП, 1997, том 31, выпуск 1, Стр. 78

Аннотация Рассмотрены существующие методы диагностики временной нестабильности параметров границы раздела полупроводник--диэлектрик с глубокоуровневыми центрами. Предложен метод определения временной нестабильности по длительной изотермической релаксации емкости структуры металл--диэлектрик--полупроводник. Определен энергетический спектр эффективной плотности поверхностных состояний в структурах n-InP--SiO2--Al, изготовленных химическим осаждением в паровой фазе. Изменение емкости в ходе длительной изотермической релаксации является критерием временной нестабильности границы раздела диэлектрик--полупроводник.