Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 1997-00-00 ОрганизацияФизико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Распределение глубокоуровневых центров по глубине в двуокиси кремния вблизи границы раздела с фосфидом индия

Берман Л.С.

Берман Л.С. Распределение глубокоуровневых центров по глубине в двуокиси кремния вблизи границы раздела с фосфидом индия // ФТП, 1997, том 31, выпуск 1, Стр. 83

Аннотация Для определения профиля концентрации глубокоуровневых центров в диэлектрике на границе раздела с полупроводником был использован метод постоянной емкости с длительным измерением временной зависимости напряжения, что позволило увеличить разрешение по глубине. Измерено распределение глубокоуровневых центров в двуокиси кремния вблизи границы раздела с фосфидом индия. Показано, что в интервале 22/27 Angstrem от границы раздела концентрация глубокоуровневых центров не зависит от координаты.