Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 1997-00-00 ОрганизацияГосударственный технический университет, 195251 Санкт-Петербург, Россия *Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Исследование ИК фотодиодов на основе PbTe, полученных на буферном подслое пористого кремния

Беляков Л.В., Захарова И.Б., Зубкова Т.И., Мусихин С.Ф., Рыков С.А.

Беляков Л.В., Захарова И.Б., Зубкова Т.И., Мусихин С.Ф., Рыков С.А. Исследование ИК фотодиодов на основе PbTe, полученных на буферном подслое пористого кремния // ФТП, 1997, том 31, выпуск 1, Стр. 93

Аннотация Исследовано формирование эпитаксиальных пленок теллурида свинца на кремниевой подложке с буферным подслоем пористого кремния. Несмотря на большое рассогласование постоянных решетки и температурного коэффициента расширения кремния и теллурида свинца, сформированные на основе этих пленок методом ионного легирования вертикальные фотодиоды инфракрасного диапазона характеризуются параметрами, приближающимися к параметрам аналогичных фотодиодов на ориентирующей подложке.