Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:
Опубликовать в блог:
Опубликовано 1997-00-00 ОрганизацияФизико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия * Technische Universitat Berlin, D-10623 Berlin, Germany ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"


Инжекционный гетеролазер на квантовых точках со сверхвысокой температурной стабильностью порогового тока до 50o C
Максимов М.В., Гордеев Н.Ю., Зайцев С.В., Копьев П.С., Кочнев И.В., Леденцов Н.Н., Лунев А.В., Рувимов С.С., Сахаров А.В., Цацульников А.Ф., Шерняков Ю.М., Алферов Ж.И., Bimberg D.
Максимов М.В., Гордеев Н.Ю., Зайцев С.В., Копьев П.С., Кочнев И.В., Леденцов Н.Н., Лунев А.В., Рувимов С.С., Сахаров А.В., Цацульников А.Ф., Шерняков Ю.М., Алферов Ж.И., Bimberg D. Инжекционный гетеролазер на квантовых точках со сверхвысокой температурной стабильностью порогового тока до 50o C // ФТП, 1997, том 31, выпуск 2, Стр. 162
Аннотация Методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений получен низкотемпературный инжекционный лазер с активной областью на основе квантовых точек In0.5Ga0.5As/GaAs. Оптимизация условий выращивания и геометрических параметров структуры позволила увеличить диапазон сверхвысокой температурной стабильности порогового тока (характеристическая температура T0=385 K) вплоть до 50o C.
Ключевые слова публикации:
     

Комментарии

Вам необходимо зайти или зарегистрироваться для комментирования
Этот комментарий был удален
Этот комментарий был удален