Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 1997-00-00 ОрганизацияФизико-технический институт им.А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия *Nanoelectronics Research Centre, Department of Electronics and Electrical Engineering, University of Glasgow, United Kingdom ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Оптические свойства субмонослойных структур CdSe-(Zn,Mg)(S,Se)

Крестников И.Л., Максимов М.В., Иванов С.В., Леденцов Н.Н., Сорокин С.В., Цацульников А.Ф., Люблинская О.Г., Воловик Б.В., Копьев П.С., Sotomayor Torres С.М.

Крестников И.Л., Максимов М.В., Иванов С.В., Леденцов Н.Н., Сорокин С.В., Цацульников А.Ф., Люблинская О.Г., Воловик Б.В., Копьев П.С., Sotomayor Torres С.М. Оптические свойства субмонослойных структур CdSe-(Zn,Mg)(S,Se) // ФТП, 1997, том 31, выпуск 2, Стр. 166

Аннотация Исследованы оптические свойства структур с субмонослойными внедрениями CdSe в матрице Zn(S,Se). Субмонослойное покрытие представляет собой массив наноразмерных (40 Angstrem) островков высотой в один монослой. Сила осциллятора экситона в мультиплицированных субмонослойных структурах CdSe--ZnSSe существенно возрастает по сравнению со случаем однородной квантовой ямы сопоставимых толщины и состава. В субмонослойных структурах лазерная генерация осуществляется в непосредственной близости от энергии основного состояния тяжелого экситона в отличие от обычных квантовых ям ZnCdSe, где она существенно сдвинута в длинноволновую сторону на энергию одного оптического фонона. Эффект обусловлен снятием правил отбора по импульсу при излучательной рекомбинаци экситонов в субмонослойных структурах.