Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 1997-00-00 ОрганизацияЧерновицкий государственный университет, 274012 Черновцы, Украина ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Особенности фотоэмиссии электронов из металла в диодах Шоттки наоснове SiC

Косяченко Л.А., Склярчук В.М., Склярчук Е.Ф.

Косяченко Л.А., Склярчук В.М., Склярчук Е.Ф. Особенности фотоэмиссии электронов из металла в диодах Шоттки наоснове SiC // ФТП, 1997, том 31, выпуск 2, Стр. 207

Аннотация Исследована фоточувствительность диода Шоттки Al--SiC в области энергии фотонов, меньшей ширины запрещенной зоны полупроводника, а также меньше высоты потенциального барьера на контакте с металлом. Обнаруженные особенности зависимостей фототока от энергии фотонов и от приложенного напряжения трактуются в рамках модели, учитывающей фотовозбуждение электронов в металле и их последующее прохождение в полупроводник как над барьером, так и посредством туннелирования сквозь него.