Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 1997-00-00 ОрганизацияФизико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия *Брукхейвенская Национальная Лаборатория, 11973 Аптон, Нью-Йорк, США &#36;Институт физики ионных пучков и исследования материалов Исследовательского цен ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Генерация радиационных дефектов в высокоомном кремнии &#125; прициклическом облучении и отжиге

Вербицкая Е.М., Еремин В.К., Иванов А.М., Ли З., Шмидт Б.

Вербицкая Е.М., Еремин В.К., Иванов А.М., Ли З., Шмидт Б. Генерация радиационных дефектов в высокоомном кремнии } прициклическом облучении и отжиге // ФТП, 1997, том 31, выпуск 2, Стр. 235

Аннотация Исследовалась перестройка радиационных дефектов в p+-n-n+-структурах на основе высокоомного n-Si при циклическом облучении и отжиге. Проанализирована кинетика роста концентрации дефектов Ci- Oi в зависимости от технологии изготовления структур. При повторном облучении обнаружена перестройка при комнатной температуре дефектов, образовавшихся в результате отжига первичных радиационных дефектов. Выявлено возникновение "скрытых" источников формирования глубоких центров. Установлено, что наличие более высокой концентрации кислорода, возникшей в образцах в результате длительного процесса оксиления кремния, вызывает более активное комплексообразование углеродсодержащих дефектов по сравнению с образцами с пониженным содержанием кислорода.