Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 1997-00-00 ОрганизацияИнститут физики полупроводников СО РАН, 630090 Новосибирск, Россия Институт сенсорной микроэлектроники СО РАН, 644077 Омск, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Структуры с блокированной прыжковой проводимостью на кремнии, легированном галлием, полученные гидрогенизацией в плазме водорода

Эмексузян В.М., Камаев Г.Н., Феофанов Г.Н., Болотов В.В.

Эмексузян В.М., Камаев Г.Н., Феофанов Г.Н., Болотов В.В. Структуры с блокированной прыжковой проводимостью на кремнии, легированном галлием, полученные гидрогенизацией в плазме водорода // ФТП, 1997, том 31, выпуск 3, Стр. 311

Аннотация Исследованы электрофизические характеристики структур с блокированной прыжковой проводимостью по примесной зоне на кремнии легированном галлием (NrmGa~5·1017 rmсм-3). Блокирующие слои в структурах получены пассивацией легирующей примеси галлия гидрогенизацией в водородной плазме пониженного давления (высокочастотный разряд) при температуре подложки в диапазоне T=20/220o C. Обнаружено уменьшение при гидрогенизации энергии активации прыжковой проводимости с прыжками между ближайшими соседними атомами галлия с Ea=8.7 мэВ (в негидрирогенизированных структурах) до Ea=1.3 мэВ (после гидрогенизации при T=220o C). Изучены вольт-амперные характеристики и температурные зависимости темнового тока структур и их изменения после изохронных (t=20 мин) отжигов в диапазоне 220/400o C. Проведен расчет вольт-амперных характеристик при низких температурах. Показано, что расчетные данные совпадают с экспериментальными.