Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 1997-00-00 ОрганизацияИнсититут физики полупроводников Национальной академии наук Украины, 252650 Киев, Украина ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Влияние упругих напряжений на характер эпитаксиальной кристаллизации (Hg,Mn)Te

Каверцев С.В., Беляев А.Е.

Каверцев С.В., Беляев А.Е. Влияние упругих напряжений на характер эпитаксиальной кристаллизации (Hg,Mn)Te // ФТП, 1997, том 31, выпуск 3, Стр. 342

Аннотация Существующие экспериментальные данные относительно состава и условий кристаллизаци полупроводниковых твердых растворов Hg1-zMnzTe, эпитаксиально выращиваемых на подложке Cd(Zn)Te, обнаруживают ряд особенностей, позволяющих говорить о существенном влиянии подложки на характер кристаллизации твердой фазы. В нашей работе данные жидкофазной эпитаксии Hg1-zMnzTe рассматриваются в свете возможного влияния на состав и условия кристаллизации упругих напряжений, возникающих вследствие несоответствия параметров кристаллической решетки подложки и эпитаксиального слоя. Основным инструментом исследования является термодинамический анализ метастабильного равновесия между напряженной твердой фазой и пересыщенным раствором компонент.