Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 1997-00-00 ОрганизацияИнститут физики полупроводников Национальной академии наук Украины,252650 Киев, Украина ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Механизмы рекомбинации в легированных кристаллах n-Hg1-xCdxTe исвойства диффузионных p+-n-переходов на их основе

Тетеркин В.В., Сточанский С.Я., Сизов Ф.Ф.

Тетеркин В.В., Сточанский С.Я., Сизов Ф.Ф. Механизмы рекомбинации в легированных кристаллах n-Hg1-xCdxTe исвойства диффузионных p+-n-переходов на их основе // ФТП, 1997, том 31, выпуск 3, Стр. 350

Аннотация Методом диффузии As в монокристаллические подложки n-Hg1-xCdxTe изготовлены фотодиоды p+-n-типа на область длин волн 3--5 и 8--12 мкм и исследованы их электрические и фотоэлектрические характеристики. Из анализа температурных зависимостей дифференциального сопротивления и вольт-амперных характеристик следует, что при температуре 77K преобладает генерационно-рекомбинационный механизм переноса носителей заряда. При повышении температуры проявляется также вклад диффузионной составляющей. Для диодов, имеющих длинноволновую границу фоточувствительности lambdac=~ 11.5, 10.5 и 6.0мкм, получены значения произведения R0A=~ 0.3-1.0, 1-10 и (1-10)· 104Ом·см2 соответственно, что указывает на возможность их работы в режиме ограниченном флуктуациями фонового излучения.