Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 1997-00-00 ОрганизацияФизико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия &#36; Технический университет, Мюнхен, D-85747 Гархинг, Германия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Люминесценция пористого кремния в ИК области спектра прикомнатной температуре

Полисский Г., Сресели О.М., Андрианов А.В., Кох Ф.

Полисский Г., Сресели О.М., Андрианов А.В., Кох Ф. Люминесценция пористого кремния в ИК области спектра прикомнатной температуре // ФТП, 1997, том 31, выпуск 3, Стр. 365

Аннотация Разработана методика изготовления мезопористого кремния на подложках n-типа с двумя интенсивными при комнатной температуре полосами фото- и электролюминесценции: основной в диапазоне 1.4--1.8 эВ и низкоэнергетической инфракрасной вблизи 1--1.2 эВ. Показана возможность управления как положением основного максимума излучения, так и интенсивностью полос. Свойства основной полосы объясняются в рамках квантово-размерной модели образования пористого кремния, а низкоэнергетической--- излучательной рекомбинацией в крупных неквантово-размерных кристаллитах.