Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:
Опубликовать в блог:
Опубликовано 1997-00-00 ОрганизацияИнститут вычислительных технологий Сибирского отделения Российской академии наук, 630090 Новосибирск, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"


Диффузия бора и фосфора в кремнии при высокотемпературной ионной имплантации
Гадияк Г.В.
Гадияк Г.В. Диффузия бора и фосфора в кремнии при высокотемпературной ионной имплантации // ФТП, 1997, том 31, выпуск 4, Стр. 385
Аннотация Предложена теоретическая модель для описания ускоренной диффузии примесей бора и фосфора в кремнии при высокотемпературной имплантции. Модель учитывает генерацию примеси, точечных дефектов, их диффузию, образование и распад пар дефект--примесь. Учтено образование дислокаций и рост (уменьшение) размеров их петель в ходе бомбардировки. Дислокации являются стоками для дефектов и примеси. Расчетные профили сравниваются с известными данными. Показана важная роль дислокаций, как центров захвата. Вблизи поверхности обнаружено осциллирующее поведение профиля примеси, что связано с одновременными имплантацией и разгонкой примеси.
Ключевые слова публикации:
     

Комментарии

Вам необходимо зайти или зарегистрироваться для комментирования
Этот комментарий был удален
Этот комментарий был удален