Профиль » Публикация
Опубликовано
1997-00-00
ОрганизацияИнститут вычислительных технологий Сибирского отделения Российской академии наук, 630090 Новосибирск, Россия
ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"
Диффузия бора и фосфора в кремнии при высокотемпературной ионной имплантации
Гадияк Г.В. Диффузия бора и фосфора в кремнии при высокотемпературной ионной имплантации // ФТП, 1997, том 31, выпуск 4, Стр. 385
Аннотация
Предложена теоретическая модель для описания ускоренной диффузии примесей бора и фосфора в кремнии при высокотемпературной имплантции. Модель учитывает генерацию примеси, точечных дефектов, их диффузию, образование и распад пар дефект--примесь. Учтено образование дислокаций и рост (уменьшение) размеров их петель в ходе бомбардировки. Дислокации являются стоками для дефектов и примеси. Расчетные профили сравниваются с известными данными. Показана важная роль дислокаций, как центров захвата. Вблизи поверхности обнаружено осциллирующее поведение профиля примеси, что связано с одновременными имплантацией и разгонкой примеси.
Комментарии
Вам необходимо зайти или зарегистрироваться для комментирования
Этот комментарий был удален
Этот комментарий был удален