Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 1997-00-00 ОрганизацияФизико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Твердый раствор InxGa1-xAsySbzP1-y-z: новый материал инфракрасной оптоэлектроники . I.Термодинамический анализ условий получения твердых растворов, изопериодных подложкам InAs и GaSb, методом жидкофазной эпитаксии

Чарыков Н.А., Литвак А.М., Михайлова М.П., Моисеев К.Д., Яковлев Ю.П.

Чарыков Н.А., Литвак А.М., Михайлова М.П., Моисеев К.Д., Яковлев Ю.П. Твердый раствор InxGa1-xAsySbzP1-y-z: новый материал инфракрасной оптоэлектроники . I.Термодинамический анализ условий получения твердых растворов, изопериодных подложкам InAs и GaSb, методом жидкофазной эпитаксии // ФТП, 1997, том 31, выпуск 4, Стр. 410

Аннотация Проведен расчет диаграмм фазовых равновесий расплав--твердый раствор (диаграмм плавкости) и твердый раствор (I)--твердый раствор (II) (поверхностей спинодального распада твердых растворов) в пятикомпонентной системе In--Ga--As--Sb--P (твердые растворы изопериодны подложкам GaSb и InAs). Проведен расчет концентрационных областей твердых растворов изовалентного замещения InxGa1-xAsySbzP1-y-z, доступных к синтезу, методом жидкофазной эпитаксии.