Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 1997-00-00 ОрганизацияФизико-технический институт им.А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия *Institut fur Festkorperphysik, Technische Universitat Berlin, D-10623 Berlin, Germany ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Инжекционный гетеролазер на основе массива вертикально совмещенных квантовых точек InGaAs в матрице AlGaAs

Жуков А.Е., Егоров А.Ю., Ковш А.Р., Устинов В.М., Леденцов Н.Н., Максимов М.В., Цацульников А.Ф., Зайцев С.В., Гордеев Н.Ю., Копьев П.С., Бимберг Д., Алферов Ж.И.

Жуков А.Е., Егоров А.Ю., Ковш А.Р., Устинов В.М., Леденцов Н.Н., Максимов М.В., Цацульников А.Ф., Зайцев С.В., Гордеев Н.Ю., Копьев П.С., Бимберг Д., Алферов Ж.И. Инжекционный гетеролазер на основе массива вертикально совмещенных квантовых точек InGaAs в матрице AlGaAs // ФТП, 1997, том 31, выпуск 4, Стр. 483

Аннотация Исследованы массивы вертикально совмещенных квантовых точек InGaAs в матрице AlGaAs. Показано, что увеличение ширины запрещенной зоны материала матрицы позволяет увеличить энергию локализации квантовых точек относительно края зоны матрицы, а также состояний смачивающего слоя. При использовании в качестве активной области инжекционного лазера это позволяет снизить термическую заселенность более высоко лежащих состояний и таким образом уменьшить значения пороговой плотности тока при комнатной температуре до 63А/см2. Предложена модель, объясняющая участок отрицательной характеристической температуры, наблюдаемый в области низких температур. Модель основна на предположении перехода от неравновесного к равновесному заселению состояний квантовых точек.