Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 1997-00-00 ОрганизацияИнститут физики полупроводников Национальной академии наук Украины, 252650 Киев, Украина ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Эксклюзия носителей заряда в InAs

Болгов С.С., Малютенко В.К., Савченко А.П.

Болгов С.С., Малютенко В.К., Савченко А.П. Эксклюзия носителей заряда в InAs // ФТП, 1997, том 31, выпуск 5, Стр. 526

Аннотация Впервые сообщается о наблюдении эффекта контактной эксклюзии в p+-p-p+-структурах на базе InAs при высоких температурах. Для идентификации процесса неравновесного истощения базы, свидетельствующего об эксклюзии свободных носителей заряда, исследовались вольт-амперные характеристики, кинетика установления тока и отрицательная люминесценция в спектральной области межзонных переходов. Обсуждается практический аспект этого явления.