Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 1997-00-00 ОрганизацияФизико-технический институт им.А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Природа центров локализации дыроквхалькогенидах свинцас примесью натрия

Алексеева Г.Т., Гуриева Е.А., Константинов П.П., Прокофьева Л.В., Равич Ю.И.

Алексеева Г.Т., Гуриева Е.А., Константинов П.П., Прокофьева Л.В., Равич Ю.И. Природа центров локализации дыроквхалькогенидах свинцас примесью натрия // ФТП, 1997, том 31, выпуск 5, Стр. 528

Аннотация Исследованы коэффициенты Холла R, термоэдс S и электропроводности в PbSe, легированном Na, при введении изовалентных свинцу примесей Cd и Mn в концентрациях до 5 ат %. Экспериментальные данные вместе с ранее полученными результатами указывают, что в халькогенидах свинца в присутствии изовалентных примесей акцепторное действие Na ослаблено вследствие локализации дырок на дефектах. Согласно предложенной модели акцепторного легирования, такими дефектами в халькогенидах свинца могут быть атомы халькогена в металлической подрешетке. Повышение температуры, а также введение изовалентных примесей с относительно малыми ионными радиусами способствуют их образованию. Антиструктурные дефекты создают резонансные уровни в валентной зоне, положение которых зависит от концентрации Na.