Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 1997-00-00 ОрганизацияФизико-технический инстититут им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

О барьере Шоттки на контакте металла с карбидом кремния

Давыдов С.Ю., Лебедев А.А., Тихонов С.К.

Давыдов С.Ю., Лебедев А.А., Тихонов С.К. О барьере Шоттки на контакте металла с карбидом кремния // ФТП, 1997, том 31, выпуск 5, Стр. 597

Аннотация Предлагается простая модель контакта металл-полупроводник. Предполагается, что барьер Шоттки формируется состояниями дефектов, локализованными на границе раздела. Проанализированы экспериментальные данные по системам <металл (Au, Cr, Mo и Al)>-<гексагональный карбид кремния (6H-SiC)>, где SiC имеет n-тип проводимости.