Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 1997-00-00 ОрганизацияДрогобычский государственный педагогический институт им. И.Франко, 293720 Дрогобыч, Украина ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Фотоотклик кристаллов CdxHg1-xTe, обусловленный неоднородностями состава

Вирт И.С., Цюцюра Д.И.

Вирт И.С., Цюцюра Д.И. Фотоотклик кристаллов CdxHg1-xTe, обусловленный неоднородностями состава // ФТП, 1997, том 31, выпуск 5, Стр. 606

Аннотация Показано, что при освещении кристаллов CdxHg1-xTe светом с энергией фотонов, меньше ширины запрещенной зоны, возможна фотопроводимость, обусловленная генерацией электронно-дырочных пар на неоднородностях с меньшим значением состава x. Неоднородности смоделированы в виде кластерной сетки малоугловых границ блоков с повышенной скоростью рекомбинации неравновесных носителей заряда. Проведена оценка величины фотоотклика (\overline(Delta p)) от размера кластерной сетки(rc).