Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 1997-00-00 ОрганизацияИнститут физики полупроводников Национальной академии наук Украины, 252650 Киев, Украина ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Механизм многозначной анизотропии электропроводности двойных гетероструктурных ям и сверхрешеток

Грибников З.С.

Грибников З.С. Механизм многозначной анизотропии электропроводности двойных гетероструктурных ям и сверхрешеток // ФТП, 1997, том 31, выпуск 5, Стр. 621

Аннотация Предложен новый механизм многозначной анизотропии продольной электропроводности двухъямных и многоямных гетерструктур на основе многодолинных полупроводников. Механизм основан на предположении о том, что при разогреве электронного газа межъямная термоэлектронная эмиссия через невысокий потенциальный барьер становится доминирующим каналом электронных переходов между ямами и что межъямные переходы с сохранением долины могут быть чаще междолинных. Учетены внутренние электрические напряжения на барьерах, возникающие вследствие различного междолинного перераспределения в ямах.