Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 1997-00-00 ОрганизацияФизический институт им П.Н.Лебедева Российской академии наук, 117924 Москва, Россия *Научный центр волоконной оптики при Институте общей физики Российской академии наук, 117942 Москва, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Исследование квантовых ям в системе ZnCdSe/ZnSe, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках ZnSe

Козловский В.И., Трубенко П.А., Артемов А.С., Дианов Е.М., Коростелин Ю.В., Крыса А.Б., Шапкин П.В., Щербаков Е.А.

Козловский В.И., Трубенко П.А., Артемов А.С., Дианов Е.М., Коростелин Ю.В., Крыса А.Б., Шапкин П.В., Щербаков Е.А. Исследование квантовых ям в системе ZnCdSe/ZnSe, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках ZnSe // ФТП, 1997, том 31, выпуск 6, Стр. 641

Аннотация Квантовые ямы в системе ZnCdSe/ZnSe различной ширины выращены методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках ZnSe (001). Подложки вырезались из объемных кристаллов ZnSe, полученных газотранспортным методом в водороде. Подготовка поверхности подложки осуществлялась коллоидно-химической полировкой с последующим отжигом в атомарном водороде и напылением защитной пленки селена. В ходе эпитаксиального роста контролировалась топография поверхности по картине дифракции отраженных быстрых электронов. Были проведены исследования методом атомно-силовой микроскопии микрорельефа поверхности образцов и катодолюминесценции выращенных квантово-размерных структур при 40 и 300K. Относительно низкая микрошероховатость поверхности, контрастные вытянутые рефлексы в дифракционной картине и зависимость спектрального положения линии люминесценции квантовой ямы от ее ширины свидетельствует о высоком структурном качестве выращенных структур.