Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 1997-00-00 ОрганизацияЛюблинский технический университет, Люблин, Польша * Ягеллонский университет, Краков, Польша &#36; Белорусский государственный университет, 220050 Минск, Белоруссия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Диэлектрическая проницаемость и проводимость на переменном токе полуизолирующих полупроводников Cd1-xMnxTe

Жуковский П.В., Родзик А., Шостак Ю.А.

Жуковский П.В., Родзик А., Шостак Ю.А. Диэлектрическая проницаемость и проводимость на переменном токе полуизолирующих полупроводников Cd1-xMnxTe // ФТП, 1997, том 31, выпуск 6, Стр. 714

Аннотация Приведены температурные зависимости диэлектрической проницаемости и сопротивления на переменном токе соединений Cd1-xMnxTe (0=< x=< 0.7), из которых установлено, что дополнительная поляризация соединения обусловлена прыжковой перезарядкой дефектов структуры. Исследованы спектры электронного парамагнитного резонанса и отражения света для этих материалов. Предложена модель, описывающая термически активируемый рост диэлектрической проницаемости полупроводников. Определены основные характеристики и предложена микроскопическая модель структуры дефектов, прыжковая перезарядка которых приводит к росту диэлектрической проницаемости компенсированных полупроводников Cd1-xMnxTe.