Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 1997-00-00 ОрганизацияТашкентский государственный университет, 700095 Ташкент, Узбекистан ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Влияние иттербия на радиационное дефектообразование в кремнии

Талипов Ф.М.

Талипов Ф.М. Влияние иттербия на радиационное дефектообразование в кремнии // ФТП, 1997, том 31, выпуск 6, Стр. 728

Аннотация Представлены результаты исследования влияния gamma-облучения наа дефектообразование в кремнии, диффузионно легированном иттербием. Показано, что скорости удаления носителей заряда и константы деградации времени жизни носителей заряда в таких образцах меньше, чем в нелегированных данной примесью образцах. Полученные результаты объясняются образованием эффективных стоков для радиационных дефектов.