Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 1997-00-00 ОрганизацияИнститут физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук, 630090 Новосибирск, Россия *Исследовательский центр Россендорф, Дрезден, Германия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Фотолюминесценции слоев SiO2, имплантированных ионами Si+ иотожженных в импульсном режиме

Качурин Г.А., Тысченко И.Е., Скорупа В., Янков Р.А., Журавлев К.С., Паздников Н.А., Володин В.А., Гутаковский А.К., Лейер А.Ф.

Качурин Г.А., Тысченко И.Е., Скорупа В., Янков Р.А., Журавлев К.С., Паздников Н.А., Володин В.А., Гутаковский А.К., Лейер А.Ф. Фотолюминесценции слоев SiO2, имплантированных ионами Si+ иотожженных в импульсном режиме // ФТП, 1997, том 31, выпуск 6, Стр. 730

Аннотация В термически выращенные на Si слои SiO2 имплантированы ионы Si+ дозой~ 1017 см-2 с энергиями 100 и 200 кэВ. Использовались два вида импульсных отжигов: при 900/ 1200oC в течение 1 с и при 1050/ 1350oC в течение 20 мс. После имплантации наблюдалась фотолюминесценция в видимой и ближней инфракрасной областях спектра. На начальных этапах отжига интенсивность фотолюминесценции падала, однако после отжига при 1200oC, 1 c или при 1350oC, 20 мс она резко возрастала в десятки раз. Согласно данным комбинационного рассеяния и высокоразрешающей электронной микроскопии, этому соответствовало формирование в SiO2 нанокристаллов Si. Используемые длительности отжигов исключали диффузионно-контролируемый рост нанокристаллов Si, но их формирование могло происходить за счет твердофазной кристаллизации аморфных включений. Корреляция между резким усилением люминесценции и формированием нанокристаллов Si свидетельствует в пользу квантово-размерного механизма ее возникновения.