Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 1997-00-00 ОрганизацияИнститут физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук, 630090 Новосибирск, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Использование низкотемпературного излучателя для исследования спектральных характеристик инфракрасных фотоприемников

Васильев В.В., Машуков Ю.П., Овсюк В.Н.

Васильев В.В., Машуков Ю.П., Овсюк В.Н. Использование низкотемпературного излучателя для исследования спектральных характеристик инфракрасных фотоприемников // ФТП, 1997, том 31, выпуск 6, Стр. 749

Аннотация Рассматривается метод определения длины волны отсечки lambdac спектра фоточувствительности инфракрасных фотоприемников, использующий измерение двух фотосигналов, полученных от двух тепловых источников излучения, имеющих различные температуры. Показано, что для lambda~= 10-14 мкм целесообразно использовать тепловые источники с пониженной температурой. Проведено измерение фотосигнала элемента фотодиодной линейки на p-CdxHg1-xTe с x=0.225 для теплового излучателя, температура которого изменялась в пределах150--450 K. Из сравнения экспериментальной кривой с расчетной вычислены значенияlambdac для нескольких температурных диапазонов. Вычислены поправки кlambdac, связанные с отклонением реального спектра фоточувствительности от идеализированного. Высказаны соображения по поводу выбора оптимального температурного диапазона для излучателей.